P/N + Descripción + Búsqueda de contenido
Número de pieza(s) : 18N20A
KIA Semiconductor Technology
componentes Descripción : 18A，200V N-CHANNEL MOSFET
Número de pieza(s) : KIA6720N
KIA Semiconductor Technology
componentes Descripción : 18A，200V N-CHANNEL MOSFET
Número de pieza(s) : IRF240 IRF240-243 IRF241 IRF242 IRF243 IRF640 IRF641 IRF642 IRF643 IRF640-643
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V
Número de pieza(s) : IRF640
First Components International
componentes Descripción : 18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza(s) : FDP18N20F FDPF18N20FT
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14Ω
Número de pieza(s) : IRF640FP
First Components International
componentes Descripción : 18A 200V N CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza(s) : BUX41N
Semelab - > TT Electronics plc
componentes Descripción : Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
Número de pieza(s) : IRF240
Semelab - > TT Electronics plc
componentes Descripción : N–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS (Rev - V2)
Número de pieza(s) : 2SK3160 K3160
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
componentes Descripción : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Número de pieza(s) : STD10NF30
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
componentes Descripción : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Número de pieza(s) : 2SK3003 K3003
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
componentes Descripción : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Número de pieza(s) : RCX160N20
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
componentes Descripción : N-Channel MOSFET Transistor
Número de pieza(s) : IRF640
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
componentes Descripción : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Número de pieza(s) : TK15A20D
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
componentes Descripción : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Número de pieza(s) : IRFS640
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
componentes Descripción : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Número de pieza(s) : EMDA2N20F
Excelliance MOS Corp.
componentes Descripción : N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : BLF8G22LS-200V BLF8G22LS-200GV
NXP Semiconductors.
componentes Descripción : Power LDMOS transistor
Número de pieza(s) : CEDF640 CEUF640
Chino-Excel Technology
componentes Descripción : N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (Rev - Old_V)
Número de pieza(s) : CEPF640 CEBF640
Chino-Excel Technology
componentes Descripción : N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (Rev - 1998)
Número de pieza(s) : CEPF640
Unspecified
componentes Descripción : N-Channel MOSFET uses advanced trench technology